5.6. Принципы расчета усилителей мощности однополосного сигнала

При проектировании усилителей мощности однополосного сигнала следует иметь в виду, что важнейшим требованием к этим усилителям является обеспечение наименьшего уровня нелинейных искажений.

В оконечных каскадах усилителей однополосного сигнала мощностью более 5кВт используют тетроды, которые, во-первых, обладают высоким коэффициентом усиления по мощности, что позволяет сократить число каскадов ВЧ-тракта, и, во-вторых, эти лампы работают с малыми токами управляющей сетки и даже без сеточного тока.

Номинальную мощность лампы Рлном передатчиков, которые должны длительное время работать при максимальной мощности (например, при одноканальной передаче сигналов классов Н3Е, А1А и др.) выбирают из условия Рлном=(1,1÷1,4), где Р1max – пиковая мощность однополосного сигнала, ηк- КПД колебательной системы ОК. В передатчиках, предназначенных для многоканальной работы, нормируют среднюю мощность выходного реального сигнала. «Средняя» амплитуда усиливаемого однополосного сигнала определяется статистическими параметрами передаваемых сообщений. Для речевого сигнала Ugср≈0,425Ugmax. Номинальная мощность лампы ОК должна быть равна Рлном=, где Р1ср≈0,18Р1max . Критерием пригодности генераторной лампы в этом случае является выполнение неравенства Раср ≤ Радоп, где Раср – средняя рассеиваемая мощность на аноде лампы, а Радоп – допустимая мощность рассеяния на аноде.

Для обеспечения малого уровня нелинейных искажений анодное напряжение лампы выбирают ниже номинального – (0,8÷1)Еаном. Электронный режим лампы должен быть недонапряженным, поэтому коэффициент использования по анодному напряжению в пиковом режиме ξmax выбирают на (3÷10)% меньше значения ξкр. Напряжение на экранной сетке лампы Еg2 выбирают так, чтобы при приемлемом значении электронного КПД (см.( 1.7’) и п.1.15.2«г») ток управляющей сетки лампы либо отсутствовал, либо был мал.

Точное значение оптимальной величины напряжения смещения на управляющей сетке лампы, Еgopt, при котором уровень нелинейных искажений минимальный, может быть рассчитано только на ЭВМ. При приблизительном расчете Еgopt для ламп с коротким нижним изгибом анодно-сеточных характеристик можно принять Еgopt=, где - напряжение запирания, определенное по статической характеристике лампы ia=f(eg) при заданном анодном напряжении (Приложение 2). Для ламп с малой проницаемостью D и протятженным нижним изгибом анодносеточных характеристик величина Еgopt, и для определения Еgopt используется метод, описанный в Приложении 3.

Устройства генерирования и формирования радиосигналов


*****

© 2009-2017 Банк лекций siblec.ru
Лекции для преподавателей и студентов. Формальные, технические, естественные, общественные, гуманитарные, и другие науки.