3.4.2. Оперативная оптическая память

Устройства оперативной памяти, в отличие от рассмотренных выше, должны обладать реверсивностью, т. е. после кратковременного стирающего воздействия быть готовыми к записи новой информации. Свойства используемой среды не должны изменяться при большом числе циклов запись—стирание и позволять за как можно короткое время производить запись и стирание информации. В ЗУ оперативной оптической памяти используют многие физические эффекты, в частности, применяют рассмотренные ранее устройства Фототитус, ПРОМ, а также структуры фотопроводник — ЖК, фотопроводник — сегнетоэлектрическая ЦТСЛ-керамика и многие другие.

Возможны устройства оптической памяти, использующие запись на фотохромных материалах — веществах, поглощение которых обратимо изменяется под действием оптического излучения непосредственно, т. е. без какого-либо проявления. Среди большого числа фотохромных материалов достаточно широкое распространение получили полимеры, силикатные стекла, щелочно-галоидные кристаллы (КС1, NaF, CaF и т. д.). При фотохромном процессе вещество, поглощая кванты света, переходит из исходного состояния в фотоиндуцированное, характеризуемое изменением оптического пропускания в другой спектральной области. Для записи и считывания информации, следовательно, требуется излучение с различной длиной волны (например, 0,2 — 0,4 мкм при записи и 0,4 — 0,7 мкм при считывании). Обратный переход в исходное состояние совершается самопроизвольно, но может заметно ускориться под действием света, поглощаемого в фотоиндуцированном состоянии, поэтому при считывании световая энергия должна быть на несколько порядков выше, чем при записи.

Время хранения записанной информации различно для разных материалов: от 1·10-6 с до нескольких лет. Для фотохромных материалов характерны малые времена записи (~1·10-8 с) и высокая разрешающая способность (~3000 лин/мм). Запись можно производить в различных плоскостях фотохромного материала, причем переход от одной плоскости к другой осуществляется изменением фокусного расстояния записывающего и считывающего объективов. Несмотря на некоторую потерю оптического контраста, удается использовать для записи множество слоев, что приводит к огромной объемной плотности записи.

В устройствах памяти, основанных на магнитооптических эффектах, используют слои ферромагнитных материалов с большой коэрцитивной силой, способных надолго сохранять намагниченность после выключения внешнего магнитного поля. В тонком слое такого материала под действием излучения лазерного луча происходит локальный нагрев и, если при этом температура превысит точку Кюри, вектор намагниченности скачком изменяется. Вращение плоскости поляризации прошедшего через слой считывающего света (эффект Фарадея) оказывается разным в предварительно освещенных и неосвещенных участках. Считывание можно осуществить и отраженным светом, используя уже упомянутый магнитооптический эффект Керра.

Для стирания информации, записанной ферромагнитным слоем, его нагревают световым импульсом или каким-либо другим способом в присутствии магнитного поля, в результате чего восстанавливается его первоначальное магнитное состояние. Хотя при считывании информации в рассматриваемых случаях используют магнитооптические эффекты, такой способ записи принято также называть термомагнитным. Среди подходящих материалов для термомагнитной записи хорошо изучен марганцевый висмут MnBi, имеющий температуру Кюри примерно 360оС, достаточно хорошее разрешение (103 лин/мм), малое время записи (~1·10-8 с), большой срок хранения записанной информации, а также ресурс работы. В качестве запоминающего материала в магнитооптических дисках используют сплавы MnA1Ge, MnCuBi, оксиды лантаноидов (например, ЕuО и др.), висмутосодержащие гранаты, а также аморфные пленки Tb1-хFex и соединения на их основе (с добавлением кобальта, хрома, кадмия, гадолиния и др.).

Пленки Tb1-хFex являются ферримагнетиками, т. е. магнитные моменты атомов тербия и железа ориентированы антипараллельно, и в определенном интервале х в пленке возникает анизотропия с осью, перпендикулярной плоскости пленки. Запись, считывание и стирание информации производят практически так, как и в случае устройства памяти на основе MnBi. Достоинство аморфных пленок Tb1-хFex состоит в отсутствии эффектов рассеяния на границах зерен, в отличие от поликристаллического MnBi или других подобных материалов. Температура Кюри Tb1-хFex зависимости от х изменяется в пределах 40 — 140оС, разрешение — более 1·104 лин/мм, время цикла запись — стирание — около 1·10-8 с. Информационная емкость магнитооптических дисков диаметром 30 см составляет 109 — 1010 бит.

На локальном нагреве лазерным лучом основывается запись в халькогенидных стеклах, содержащих серу, теллур, мышьяк и другие элементы (например, As — Se, Sb — S, As — Sb — S, As — Bi — S, Ge — S, Те — Ge — As и т. п.). Однако механизм памяти в этом случае другой. При превышении температуры расстеклования, но ниже точки плавления, происходит фазовый переход из аморфного состояния материала в кристаллическое, в результате чего изменяется показатель преломления света, что и используют при считывании информации. Переход пленки в аморфное состояние (стирание) производят нагревом до температуры плавления и последующим быстрым охлаждением. Запись на таких пленках, как и при термомагнитной записи, сохраняется длительное время, энергетическая чувствительность примерно такая же, разрешение превышает 1·10 лин/мм, однако оптическое пропускание стекол может достигать ~~80% ( 1·10-3 для MnBi). Для реверсивной записи применяют также получаемый вакуумным испарением аморфные пленки ТеОх(х=1,1÷1,2). Под действием лазерного луча происходит фототермический переход, в результате чего заметно изменяются оптическое пропускание и отражение пленки. Работающие на этом принципе оптические диски позволяют производить многократную перезапись (например, музыкальных программ) вплоть до 1·10-6 раз.

Работа быстродействующих многоканальных транспарантов, обладающих реверсивной памятью, может основываться на элементе, предложенном в начале 80-х годов и названном трансфазором. В этом устройстве используют оптическую нелинейность материала, проявляющуюся в изменении коэффициента преломления при увеличении интенсивности падающего света. В трансфазоре световой пучок направляют на плоско параллельную пластинку из нелинейного кристалла, образующую интерферометр Фабри — Перо, роль зеркал в котором могут играть либо естественные (отполированные) грани кристалла, либо нанесенные на них тонкие полупрозрачные металлические пленки. Толщину пластинки выбирают такой, чтобы при низких интенсивностях света, когда кристалл можно считать линейным, разность фаз лучей, многократно отражающихся от зеркальных граней, была равна нечетному числу π и интенсивность пучка на выходе была малой (Фвых=0). Такое условие нарушается в области больших световых потоков (вполне достижимых при использовании ОКГ), когда значение п, а значит, и оптическая длина пути начинают возрастать. Это вызывает увеличение интенсивности света внутри резонатора, что, в свою очередь, приводит к еще большему возрастанию п и т. д. Устройство скачкообразно переходит в состояние с пропусканием, близким к единице.

На практике на трансфазор направляют два лазерных луча. Один из них имеет постоянную интенсивность Фпост соответствующую низкому пропусканию, но близкую к пороговому состоянию. Небольшая подсветка другим лучом (Фупр) переключает трансфазор в состояние с максимальным Фвых. За счет Фпост такое состояние может поддерживаться как угодно долго, а при отключении Фпост кристалл скачкообразно переходит в исходное состояние, т. е. он уже не пропустит второго луча Фупр. Таким образом, трансфазор является оптически бистабильным элементом, который можно рассматривать как оптический аналог электронного транзистора.

Трансфазор переключается намного быстрее, чем транзистор. Действительно, быстродействие трансфазора ограничено временем установления светового поля внутри резонатора, а оно по порядку величины равно hn/с, т. е. при толщине пластинки h=10 мкм составляет ~1·10-13 с. Во всяком случае работа трансфазора в пикосекуцдном диапазоне (10-12 с) вполне реальна. Его поперечные размеры ограничены сечением лазерного пучка, т. е. трансфазор может быть таким же миниатюрным, как и транзистор. При использовании в качестве материала для трансфазора, например, сурьмянистого индия или моноселенида галлия энергия переключения составляет всего 1·10-15 Дж при мощности постоянной предпороговой подсветки ~10 мВт. Трудности на пути реализации устройств на базе трансфазоров связаны с тем, что используемые для этого материалы требуют охлаждения.

В устройствах оперативной памяти могут использоваться и другие эффекты и материалы (см. д 3.3).

Введение в оптоэлектронику


*****

© 2009-2017 Банк лекций siblec.ru
Лекции для преподавателей и студентов. Формальные, технические, естественные, общественные, гуманитарные, и другие науки.