Все полупроводниковые материалы делятся на простые полупроводники (ПП) или элементы, полупроводниковые химические соединения и полупроводниковые комплексы. В последнее время также изучаются стеклообразные и жидкие полупроводники. Простых ПП существует околодесяти. В современной технике особое значение приобрели кремний (Si), германий (Ge) и, частично, селен (Se).
|
Материалы |
Атомный № |
D W, эВ |
Подвижн. электронов, см2/В* с |
Подвижн. дырок, см2/В* с |
|
Ge |
32 |
0.67 |
3900 |
1900 |
|
Si |
14 |
1.12 |
1400 |
500 |
| Se |
34 |
1.79 |
- |
0.2* 10-4 |
Полупроводниковыми химическими соединениями являются соединения элементов различных групп таблицы Менделеева, соответствующие общим формулам АIIВVI (CdS, ZnSe), АIIIВV(InSb, GaAs, GaP ), АIVВVI (PbS, PbSe, PbTe), также некоторые оксиды и вещества сложного состава.
AIII BV
| Материалы |
D W, эВ |
Подвижн. электронов, см2/В* с |
Подвижн. дырок, см2/В* с |
|
GaSb |
0.7 |
5000 |
800 |
|
InSb |
0.18 |
80000 |
1000 |
| GaAs |
1.4 |
8500 |
400 |
| InAs |
0.35 |
30000 |
500 |
AII BVI
| Материалы |
D W, эВ |
Подвижн. электронов ,с см2/В* с |
Подвижн. дырок, см2/В* с |
|
ZnS |
3.74 |
140 |
5 |
|
CdS |
2.53 |
340 |
110 |
| HgS |
1.78 |
700 |
- |
| ZnSe |
2.73 |
260 |
15 |
AIVBVI
| Материалы |
D W, эВ |
Подвижн. электронов, см2/В* с |
Подвижн. дырок, См2/В* с |
|
PbS |
0.39 |
600 |
700 |
|
CdS |
0.27 |
1200 |
1000 |
| HgS |
0.32 |
1800 |
900 |
К полупроводниковым комплексам можно отнести вещества с полупроводящей или проводящей фазой и карбида кремния, графита, сцепленных керамической или другой связкой. Наиболее распространенными из них являются тирит, силит и др. c шириной запрещенной зоны 0.75 ч 1.35 эВ.