3.4.1. Сеточная модуляция

3.4.1.1. Модуляция изменением смещения на управляющей сетке

3.4.1.2. Модуляция изменением амплитуды напряжения возбуждения, или усиление модулированных колебаний (УМК)

3.4.2. Анодная модуляция

3.4.2.1. Двойная анодная модуляция

3.4.2.2. Тройная анодная модуляция

3.4.2.3. Анодная модуляция в схеме с заземленной сеткой

3.4.3. Анодноэкранная (АЭ) модуляция

3.4.1. Сеточная модуляция

3.4.1.1. Модуляция изменением смещения на управляющей сетке

При этом виде модуляции глубина модуляции m=0,8.

1. Расчет максимального режима.

Требуемая от лампы мощность в максимальном режиме равна:

Р1max = Р(1+ m)2.к,

где Р – заданная мощность в нагрузке в режиме несущей частоты, ηк КПД анодного контура (1.14.1, таблица 1.1). Лампа должна быть выбрана на мощность: Р ≥ Р1max. Угол отсечки анодного тока в максимальном режиме θmax=1200. Далее расчет максимального режима производится по методике, изложенной в 1.15.2.п.1. (а также 1.7.2)

2. Расчет режима несущей частоты.

Подводимая мощность:

Р0max / (1+ m)

Напряжение на контуре:

Uкн = Uк max / (1+ m)

Составляющие анодного тока:

Ia1н= Ia1max / (1+ m)

Ia0н= Ia0max / (1+ m)

Расчет сеточной цепи производится по следующим формулам (1.6) :

Коэффициент приведения αiн равен:

αiн = S [ ] , (1)

Из таблиц (Приложение 1) находят значение угла отсечки анодного тока в режиме несущей частоты θн , после чего из формулы для cosθн находят значение напряжения смещения на управляющей сетке в режиме несущей частоты:

Egн = (Ugm – DIaRэ)cosθн , (2)

где напряжение запирания.

Тогда угол отсечки сеточного тока в режиме несущей частоты равен:

θgн = arccos( ).

Составляющие сеточного тока в режиме несущей частоты:

амплитуда первой гармоники:

Ig= 0,72αgigmaxн ,

постоянная составляющая:

Ig= 0,66αgigmaxн.

Значение igmaxн находят по статической характеристике сеточного тока лампы при остаточных напряжениях на ее аноде и сетке в режиме несущей частоты: eaminн = EaUкн и egmaxн = Egн + Ugm.

Потери на аноде определяются формулой:

Ран= Р– Р,

а потери на управляющей сетке:

Рgн = Р1g – |‌‌‌Еgн‌‌‌|Ig.

3. Расчет статической модуляционной характеристики (СМХ) Iа1= f(Eg).

Для расчета СМХ используются формулы (1) и (2) при нескольких значениях Iа1 от 0,2Iа1max до 0,9Iа1max, для каждого из которых вычисляется величина напряжения смещения на управляющей сетке Eg.

4. От модулятора требуется мощность:

РgΩ= 0,5UIg;

здесь U – амплитуда модулирующего напряжения, которая равна

U = ‌‌‌ Еg– ‌‌Еgн‌ ,

где ‌‌‌Еg – напряжение смещения на управляющей сетке в максимальном режиме, ‌‌Ig – амплитуда составляющей первой гармоники звуковой частоты в токе управляющей сетки:

Ig = αgIg0,

где Ig0 – постоянная составляющая сеточного тока в максимальном режиме. Косинус угла отсечки постоянной составляющей сеточного тока равен:

соs θgн = – ,

а αg– коэффициент разложения его первой гармоники.

3.4.1.2. Модуляция изменением амплитуды напряжения возбуждения, или усиление модулированных колебаний (УМК)

Выбор лампы и расчет УМК в максимальном режиме производится так же, как при модуляции изменением сеточного смещения, но при угле отсечки анодного тока θ = 900 и глубине модуляции m = 1 (1.7.1).

Составляющие анодного тока и напряжение контуре в режиме несущей частоты определяются так же, как при модуляции смещением. Амплитуда напряжения возбуждения в режиме несущей частоты равна Ugmн= 0,5Ugmmax, а угол отсечки анодного тока остается равным 900.

Угол отсечки сеточного тока в режиме несущей частоты равен:

θg= arcos(– ),

а составляющие сеточного тока в режиме несущей частоты:

Ig= 0,72αgigmaxн,

Ig= 0,66αgigmaxн,

где значение igmaxн находят по статической характеристике сеточного тока при остаточных напряжениях на аноде и сетке лампы в режиме несущей частоты: eaminн = EaUкн и egmaxн = Eg + Ugmн. Потери на аноде и на сетке определяются теми же формулами, что при модуляции смещением.

Если угол отсечки анодного тока в максимальном режиме q ≠ 900, то при изменении амплитуды напряжения возбуждения Ugm в процессе модуляции угол отсечки q изменяется (см.3.3.1.1). Для расчета мощности рассеяния на сетке необходимо найти амплитуду напряжения возбуждения в режиме несущей частоты Ugmн, это позволит определить амплитуду импульса и угол отсечки сеточного тока в режиме несущей частоты и рассчитать мощность рассеяния на сетке. Первая гармоника анодного тока в режиме несущей частоты определяется выражением:

Ia= Sсрн(Ugmн DUкн) = (Ugmн DUкн),

где Uкн= IaRэ, а aiн коэффициент приведения импульса анодного тока при угле отсечки qн. Косинус угла отсечки qн в режиме несущей частоты равен:

соsqн= .

Зависящий от угла отсечки qн табулированный коэффициент b=

может быть представлен формулой:

b= .

С помощью ЭВМ по вычисленной величине b находят значение угла отсечки анодного тока qн в режиме несущей частоты и вычисляют амплитуду напряжения возбуждения в режиме несущей частоты Ugmн:

Ugmн = ,

Первую гармонику анодного тока можно представить формулой

Ia= ,

тогда

Ugmн=

Затем определяют остаточные напряжения на электродах лампы и угол отсечки сеточного тока qgн в режиме несущей частоты и вычисляют мощность рассеяния на управляющей сетке так, как это было описано выше.

3.4.2. Анодная модуляция

3.4.2.1. Двойная анодная модуляция

1. Расчет максимального режима.

Расчет производится на мощность

Р1max = Р(1+ m)2к

при глубине модуляции m = 1 и угле отсечки анодного тока θ = 900, оптимальном при анодной модуляции; ηк КПД анодного контура (1.14.1, таблица1.1). Электронная лампа выбирается на мощность Р= Р1н.(1+m)/ηк= Р1max/(1+ m). Далее расчет производится по методике 1.15.2.1.После нахождения значений составляющих сеточного тока Ig0max и Ig1max рассчитывают параметры цепи автоматического смещения в цепи сетки:

,

Cg ≈ 0,1/πFвRg,

где Fв = (6 – 10)кГц.

2. Расчет режима несущей частоты.

Составляющие анодного тока определяются формулами:

Ia1н = Ia1max/(1+m)

Ia0н = Ia0max/(1+m),

Подводимая мощность

Р= Р0max/(1+m)2.

Потери на аноде при анодной модуляции проверяют в режиме модуляции:

Раτ =(Р – Р)(1+ )

где mср ≈ 0,3.

3. Расчет минимального режима.

В минимальном режиме (Еа=Uк=0) сеточный ток равен суммарному току, он определяется формулой:

igmax= S(UgEg0+Egmin),

где Еgmin смещение на сетке в минимальном режиме.

Угол отсечки сеточного тока в минимальном режиме определяется из графика θ = f(β) (рис 3.9) по значению параметра β=1/SRg.

Так как косинус угла отсечки в минимальном режиме равен:

то

Egmin = Eg0 Ugmcosθgmin ,

и постоянная составляющая сеточного тока равна:

Ig0min=‌‌ |Egmin‌| / Rg,

а его первая гармоника:

Ig1min =Ig0min .

Так как сеточный ток в минимальном режиме наибольший, то требуемая мощность возбуждения должна быть равна:

Р1возб= 0,5UgmIg1min

4. Расчет потерь на управляющей сетке.

Потери на управляющей сетке при двойной анодной модуляции проверяют в режиме несущей частоты. Составляющие сеточного тока в режиме несущей частоты вычисляют по формулам:

Ig1н = 0,5(Ig1max + Ig1min)

Ig0н = 0,5(Ig0max + Ig0min)

Тогда подводимая мощность в режиме несущей частоты:

Рg= 0,5UgmIg.

Мощность рассеяния на управляющей сетке равна:

Рgн=0,5UgmIg

5. Расчет мощности модулятора.

Требуемая от модулятора мощность определяется формулой:

Рмод ,

где Р и ηГ колебательная мощность генератора в режиме несущей частоты и его КПД, ηтр – КПД модуляционного трансформатора (обычно ηтр = 0,90,95); 1,2 – коэффициент запаса, необходимый изза недоиспользования ламп модулятора по напряжению (ξмод ≈ 0,8 ξкр) и по току эмиссии.

3.4.2.2. Тройная анодная модуляция

При тройной анодной модуляции одновременно с изменением анодного напряжения изменяются напряжение смещения на управляющей сетке Eg (благодаря автоматическому сеточному смещению) и амплитуда напряжения возбуждения Ugm (3.3.2.3).

Расчет максимального режима производится так же, как при двойной анодной модуляции. Предельная глубина модуляции напряжения возбуждения определяется формулой:

mgпред=

Для снижения мощности возбудителя величина mg должна быть максимально возможной. Обычно принимают mg=(0,81)mgпред, и величина mg не критична.

Напряжение возбуждения в минимальном режиме определяется формулой:

Ugmmin = Ugmmax

Расчет минимального режима производится так же, как при двойной модуляции при амплитуде напряжения возбуждения Ugm= Ugmmin.

При тройной анодной модуляции ток управляющей сетки наибольший в максимальном режиме, поэтому мощность возбуждения генератора рассчитывают в максимальном режиме, т.е.:

Рвозб = Рg1max=0,5UgmmaxIg1max

Поскольку при тройной анодной модуляции в сеточную цепь во время мо дуляции поступает мощность от модулятора, потери на управляющей сетке наибольшие во время модуляции, они определяются формулой:

P= (Рg )(1+0,5 ) ,

где Рg= 0,5UgmнIg – мощность возбуждения лампы в режиме несущей частоты, здесь:

Ugmн= ,

Ig=0,9 ,

Ig=0,9 .

В первом приближении можно считать, что в минимальном режиме при Еа→ 0 Ig0min→ 0 и Еgmin= – Ig0minRg→ 0.

Мощность, требуемая от модулятора равна:

Рмод ﴿

где Р0возбн – мощность, подводимая к предыдущему каскаду (возбудителю) в режиме несущей частоты.

Колебательная мощность, требуемая от предыдущего каскада в максимальном режиме, равна:

Р1возбmax = 0,5Ugmmax Ig1maxквозб,

где Ugmmax и Ig1max – амплитуды напряжения возбуждения и первой гармоники сеточного тока модулируемого каскада в максимальном режиме, ηквозб – КПД анодного колебательного контура возбудителя. Мощность предыдущего каскада в режиме несущей частоты равна:

Р1возбн= Р1возбmax /(1+mg)2 ,

а мощность, подводимая к предыдущему каскаду в режиме несущей частоты, равна:

Р0возбн= Р1возбн возб ,

где ηвозб – электронный КПД возбудителя.

В возбудителе часто используют анодноэкранную модуляцию, при этом мощность модулятора должна быть равна:

Рмод ),

где Р0g2возбн мощность, подводимая к экранной сетке лампы возбудителя в режиме несущей частоты.

3.4.2.3. Анодная модуляция в схеме с заземленной сеткой

В генераторах, построенных по схеме с заземленной сеткой, возможна только тройная анодная модуляция (3.3.3). Особенности расчета генератора обусловлены особенностями этой схемы (1.11). Так, расчет генераторной лампы в максимальном режиме производится на мощность:

Р1max= ,

где коэффициент в скобках объясняется тем, что здесь мощность в нагрузке складывается из мощности, развиваемой генераторной лампой, и проходной мощности, поступающей от возбудителя; ηк КПД анодного контура (1.14.1, таблица 1.1).

Величина глубины модуляции возбудителя mg , которая определяется формулой:

mg= ,

здесь более критична, чем при тройной анодной модуляции генератора c заземленным катодом, обычно mg ≈ 0,8.

Эквивалентное сопротивление анодного контура равно:

Rэ =

Мощность, требуемая от возбудителя в максимальном режиме:

Р1возб = 0,5Ugкmax (Ia1max + Ig1max)/ηквозб,

где Ugкmax , Ia1max и Ig1max – амплитуды напряжения возбуждения и составляющих первой гармоники анодного и сеточного токов в максимальном режиме, ηквозб – КПД анодного колебательного контура возбудителя.

Мощности рассеяния на аноде и на управляющей сетке, а также мощность модулятора, рассчитываются так же, как при тройной анодной модуляции в схеме с заземленным катодом.

3.4.3. Анодноэкранная (АЭ) модуляция

Генераторная лампа при АЭ модуляции выбирается так же, как при анодной модуляции, т.е.:

Рл= ,

где Р заданная мощность в режиме несущей частоты, ηк КПД анодного контура.

Напряжение на экранной сетке в режиме несущей частоты принимают равным:

Еg= (0,7 0,8) Еg2ном,

где Еg2ном – номинальное значение напряжения на экранной сетке, приведенное в справочнике.

Оптимальный угол отсечки анодного тока в максимальном режиме θоpt модуляции равен θmax=80900 (при этом в режиме несущей частоты угол отсечки θн=50600).

Глубина модуляции по экранной сетке mg2 = 0,91, но чаще ее принимают равной mg2= ma=1.

Расчет генератора с АЭ модуляцией можно начать как с максимального режима, так и с режима несущей частоты.

1. Расчет максимального режима.

Коэффициент использования в критическом режиме здесь определятся формулой (1.15.2,п.г.):

ξкр= 1 – ,

где Еg2max = Еg(1+mg2). Далее расчет анодной и сеточной цепей производится так же, как при двойной анодной модуляции (3.4.2.1, п.1) при Еg2 = Еg2max.

2. Расчет минимального режима и режима несущей частоты.

Расчет минимального режима тоже производится так же, как при двойной анодной модуляции (3.4.2.1, п.3). После того, как найдены составляющие тока управляющей сетки в режиме несущей частоты (3.4.2.1,п.4), рассчитывают напряжение смещения на управляющей сетке в этом режиме Eg, которое равно:

Eg= Ig10н Rg,

а также мощности рассеяния на управляющей и экранной сетках в режиме несущей частоты – так же, как при двойной анодной модуляции (3.4.2.1, п.4). Мощность рассеяния на экранной сетке в режиме несущей частоты равна Pg = Ig20нEg, где Ig20н= 0,6ag20н ig2maxн – постоянная составляющая экранного тока в режиме несущей частоты. Величину ig2maxн находят по статической характеристике экранного тока при напряжении на экранной сетке в режиме несущей частоты Eg2 = Egи остаточных напряжениях на аноде и на управляющей сетке в режиме несущей частоты еaminн= Eaн Uкн и eg1maxн = Eg +Ugm. Косинус угла отсечки экранного тока в режиме несущей частоты определяется формулой:

сos qg2 = (E'g– Eg )/Ugm,

где E'g напряжение запирания по экранной сетке при еaminн = Eaн Uкн.

3. Расчет мощностей рассеяния на аноде и на экранной сетке.

Мощности рассеяния на аноде Раt и на экранной сетке Рgt рассчитывают в режиме модуляции:

Раt= Ран(1+ ),

Pg2t = Pg(1+ ).

Здесь mg2ср= mg2·mср, где mср ≈ 0,3.

4. Расчет мощности модулятора.

Требуемая мощность модулятора определяется формулой:

Рмод ,

где Р0нг и Pg– мощности, подводимые к аноду и к экранной сетке в режиме несущей частоты, ηтр – КПД модуляционного трансформатора.

Амплитуда модулирующего напряжения Ug2Ω на экранной сетке должна быть равна:

Ug2Ω = mg2Еg .