Рис. 8.1. Структурная схема анализатора заготовок: 1 – He-Ne лазер, 2 – заготовка ОВ, 3 – ячейка с иммерсионной жидкостью, 4 – линза, 5 – модулятор, 6 – сканирующий фотоприемник, 7 – устройство обработки, 8 – персональный компьютер, 9 - графопостроитель

Для измерения профиля ПП в заготовке ОВ используется метод отклонения луча при поперечном сканировании заготовки. На рис. 8.1 приведена схема установки, называемой обычно преформ-анализатором (анализатором заготовки). Заготовка помещается в кювету с иммерсионной жидкостью, ПП которой близок ПП материала заготовки. Луч света, проходя через заготовку, преломляется в ней. С помощью сканирующего фотоприемника измеряется угол преломленного луча для многих положений луча. Данные вводятся в персональный компьютер, который на основании проведенных измерений рассчитывает зависимость n(r). В данном сечении измерения проводят в двух взаимно перпендикулярных направлениях, что позволяет контролировать эллиптичность сердцевины и оболочки. Для примера на рис. 8.2 приведены профили ПП в заготовках радиационно-стойкого одномодового ОВ с кварцевой сердцевиной и фторсиликатной "депрессированной" светоотражающей оболочкой, полученной при использовании в качестве фторагента SiF₄ (1) либо при использовании в качестве фторагента сначала SF₆, а затем SiF₄. Считается, что профиль ПП в ОВ тождественен измеренному профилю ПП в заготовке, хотя он может иногда и заметно отличаться.

Рис. 8.2. Профильи ПП в заготовках радиационно-стойких ОВ с кварцевой сердцевиной и депрессированной фторсиликатной оболочкой: 1 – фторагент – SiF₄, 2- фторагенты – первоначально SF₆, а затем SiF₄