При проектировании усилителей мощности однополосного сигнала следует иметь в виду, что важнейшим требованием к этим усилителям является обеспечение наименьшего уровня нелинейных искажений.

В оконечных каскадах усилителей однополосного сигнала мощностью более 5кВт используют тетроды, которые, во-первых, обладают высоким коэффициентом усиления по мощности, что позволяет сократить число каскадов ВЧ-тракта, и, во-вторых, эти лампы работают с малыми токами управляющей сетки и даже без сеточного тока.

Номинальную мощность лампы Р_лном передатчиков, которые должны длительное время работать при максимальной мощности (например, при одноканальной передаче сигналов классов Н3Е, А1А и др.) выбирают из условия Р_лном=(1,1÷1,4), где Р_1max – пиковая мощность однополосного сигнала, η_к- КПД колебательной системы ОК. В передатчиках, предназначенных для многоканальной работы, нормируют среднюю мощность выходного реального сигнала. «Средняя» амплитуда усиливаемого однополосного сигнала определяется статистическими параметрами передаваемых сообщений. Для речевого сигнала U_gср≈0,425U_gmax. Номинальная мощность лампы ОК должна быть равна Р_лном=, где Р_1ср≈0,18Р_1max . Критерием пригодности генераторной лампы в этом случае является выполнение неравенства Р_аср ≤ Р_адоп, где Р_аср – средняя рассеиваемая мощность на аноде лампы, а Р_адоп – допустимая мощность рассеяния на аноде.

Для обеспечения малого уровня нелинейных искажений анодное напряжение лампы выбирают ниже номинального – (0,8÷1)Е_аном. Электронный режим лампы должен быть недонапряженным, поэтому коэффициент использования по анодному напряжению в пиковом режиме ξ_max выбирают на (3÷10)% меньше значения ξ_кр. Напряжение на экранной сетке лампы Е_g2 выбирают так, чтобы при приемлемом значении электронного КПД (см.( 1.7’) и п.1.15.2«г») ток управляющей сетки лампы либо отсутствовал, либо был мал.

Точное значение оптимальной величины напряжения смещения на управляющей сетке лампы, Е_gopt, при котором уровень нелинейных искажений минимальный, может быть рассчитано только на ЭВМ. При приблизительном расчете Е_gopt для ламп с коротким нижним изгибом анодно-сеточных характеристик можно принять Е_gopt=, где - напряжение запирания, определенное по статической характеристике лампы i_a=f(e_g) при заданном анодном напряжении. Для ламп с малой проницаемостью D и протяженным нижним изгибом анодносеточных характеристик величина Е_gopt≠, и для определения Е_gopt используется метод, описанный в Приложении 3.