Фотодиоды конструкции TAP разработаны в середине 90-х годов 20 века для преодоления проблемы частотного ограничения детектируемых сигналов. Проблема связана с паразитными ёмкостями и резисторами фотодиодов P-i-N и APD (рисунок 5.3). Разработки этих приборов особенно актуальны для систем передачи на скорости 160 Гбит/с (например, STM 1024). Фотодиоды TAP обеспечивают эффективное детектирование оптических сигналов в полосе частот до 200ГГц, что в сравнении с приборами P-i-N и APD даёт преимущество по полосе частот в 4-5 раз. При этом сохраняется температурная стабильность и интегрируемость приборов. На рисунках 5.9 и 5.10 представлены схемы прохождения оптических волн в двух типах приборов: TPWD (Travelling-wave Photodetector); P-TPWD (Periodic TPWD). В этих структурах сосредоточены зоны оптического усиления и оптического поглощения (детектирования), обозначенные на рисунках 5.11 и 5.12 соответственно Gain и Absorpcion.

Рисунок 5.9. Фотодиод с распределенной структурой TWPD

Рисунок 5.10. Фотодиод c периодической распределённой структурой P-TWPD

Рисунок 5.11. Конструкция фотодетектора TWPD

Рисунок 5.12. Конструкция фотодетектора P-TPWD

Оптическое излучение вводится в область Waveguide, представляющую собой плоский оптический волновод. Схематичное распределение областей усиления и поглощения приведено на рисунке 5.13.

Рисунок 5.13. Расположение зон оптического усиления и поглощения в распределённых фотодетекторах бегущей волны TAP (TPWD и P-TPWD)

Как видно из рисунка входная оптическая мощность увеличивается усилителем до величины насыщения. Это может происходить однократно и многократно и тем можно добиваться требуемой величины фототока и быстродействия.